IT之家 7 月 1 日讯息开云(中国)kaiyun网页版登录入口开云体育，抽象韩媒 ETNews、AJUNEWS、fnnews 报谈，三星电子当地技艺昨日下昼对其第六代 10nm 级 DRAM 内存工艺 1c 纳米授予坐褥准备批准 (PRA)。这记号着三星完成 1c nm 内存修复，准备向量产出动。

三星电子的 HBM4 12Hi 内存将使用 1c nm DRAM Die，不错说该内存工艺的表当今很猛历程上影响了 DS 部门存储器业绩部昔日 1~2 年的营收推崇。

而在三星电子之前开云(中国)kaiyun网页版登录入口开云体育，SK 海力士和好意思光也齐完成了第六代 20~10nm 制程 DRAM 的修复，三大内存原厂向 10nm 关隘更近了一步。